三星电子一位高管周二表示，预计明年高带宽内存（HBM）将占到DRAM芯片制造商晶圆总产能的近30%，高于目前的约20%。
三星电子执行副总裁Kim Taewoo表示，HBM与标准DRAM争夺相同的晶圆产能，这意味着扩大HBM产量可能会限制标准DRAM的供应。
HBM是人工智能计算的关键组件，由垂直堆叠的存储芯片构成，使处理器能够高速访问海量数据。该市场目前主要由韩国的SK海力士和三星电子以及美国的美光科技主导。
- 版权所属：汇观财经
- 文章作者：
- 本文地址：https://www.fedchronicle.com/depth/326.html
- 版权声明： 本文内容由互联网用户自发贡献，该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务，不拥有所有权，不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容，请发送邮件至 adddf14094@qq.com 举报，一经查实，本站将立刻删除。